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DSS4160V-7中文资料

DSS4160V-7图片

DSS4160V-7外观图

  • 大小:114.6KB
  • 厂家:Diodes Inc.
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, SOT563, 0.6W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:110mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-563; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大:600mW
  • 频率 - 转换:150MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SOT-563
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:DSS4160VDITR

DSS4160V-7供应商

更新时间:2023-01-09 10:00:47
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